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M6MGT647M34CKT

更新时间： 2024-01-13 08:51:01
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
M6MGT647M34CKT

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M6MGT647M34CKT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84湿度敏感等级：3
Base Number Matches：1

M6MGT647M34CKT 数据手册

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RENESAS LSIs  
RENESAS  
M6MGB/T647M34CKT  
CONFIDENTIAL  
67,108,864-BIT (4,194,304-WORD BY 16-BIT) CMOS FLASH MEMORY  
33,554,432-BIT (2,097,152-WORD BY 16-BIT) CMOS MOBILE RAM  
Stacked- MCP (micro Multi Chip Package)  
&
m
Description  
The M6MGB/T647M34CKT is suitable for a high  
performance cellular phone and a mobile PC that are  
required to be small mounting area, weight and small power  
dissipation.  
The M6MGB/T647M34CKT is a Stacked micro Multi Chip  
Package (S-mMCP) that contents 64M-bit Flash memory and  
32M-bit Mobile RAM in a 52-pin TSOP for lead free use.  
64M-bit Flash memory is a 4,194,304 words, single power  
supply and high performance non-volatile memory fabricated  
by CMOS technology for the peripheral circuit and DINOR IV  
(Divided bit-line NOR IV) architecture for the memory cell. All  
memory blocks are locked and can not be programmed or  
erased, when F-WP# is Low. Using Software Lock Release  
function, program or erase operation can be executed.  
Features  
Access Time  
Flash  
70ns (Max.)  
80ns (Max.)  
Mobile RAM  
Supply Voltage  
FM-VCC=2.7 ~ 3.0V  
Ta=-40 ~ 85°C  
Ambient Temperature  
Package  
32M-bit Mobile RAM is a 2,097,152 words high density RAM  
fabricated by CMOS technology for the peripheral circuit and  
DRAM cell for the memory array. The interface is compatible  
to an asynchronous SRAM.  
52pin TSOP(Type-II),  
Lead pitch 0.4mm  
Outer-lead finishing:Sn-Cu  
The cells are automatically refreshed and the refresh control  
is not required for system. The device also has the partial  
block refresh scheme and the power down mode by writing  
the command.  
Application  
Mobile communication products  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A16  
1
2
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
M-CE#  
M-UB#  
GND  
M-LB#  
DQ15  
DQ7  
3
4
5
6
7
A8  
DQ14  
DQ6  
8
A19  
9
DQ13  
DQ5  
NC  
WE#  
F-RP#  
F-WP#  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
DQ12  
DQ4  
M6MGB/T647M34CKT  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DU  
A21  
A20  
A18  
A17  
A7  
DQ10  
DQ2  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
A6  
DQ0  
A5  
A4  
OE#  
GND  
F-CE#  
A0  
A3  
A2  
A1  
Outline 52PTJ-A  
10.49 mm  
F-CE# :Flash chip enable  
M-CE# :Mobile RAM chip enable  
OE# :Output enable for Flash/Mobile RAM  
WE# :Write enable for Flash/Mobile RAM  
F-WP# :Write protect for Flash  
VCC  
:Common VCC for Flash/Mobile RAM  
:Common GND for Flash/Mobile RAM  
:Common address for Flash/Mobile RAM  
:Common address for Flash  
GND  
A0-A20  
A21  
DQ0-DQ15 :Data I/O  
F-RP# :Reset power down for Flash  
M-LB# :Lower byte control for Mobile RAM  
M-UB# :Upper byte control for Mobile RAM  
DU  
NC  
:Don’t use  
:Non Connection  
1
Rev.1.1.48a_bezc  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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