M6MGT641S8BKT
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M6MGT641S8BKT - RENESAS TECHNOLOGY CORP
型号:
M6MGT641S8BKT
品牌Logo:
品牌名称:
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
应用标签:
静态存储器光电二极管内存集成电路
文档大小:
3页 / 42K
产品描述:
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO52, 0.40 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-52
  • 参数详情
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
零件包装代码
TSOP2
包装说明
SSOP,
针数
52
Reach Compliance Code
unknown
HTS代码
8542.32.00.71
风险等级
5.84
其他特性
SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 / 1M X 8; FLASH IS ALSO ORGANIZED AS 8M X 8
JESD-30 代码
R-PDSO-G52
JESD-609代码
e2
长度
10.79 mm
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
内存宽度
16
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
52
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
4MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SSOP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
3 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
TIN COPPER
端子形式
GULL WING
端子节距
0.4 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
Base Number Matches
1

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