是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-262AA | 包装说明: | I2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.33 |
雪崩能效等级(Eas): | 29 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.3 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.3 A | 最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 33 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRLI620 | INFINEON | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) |
获取价格 |
|
IRLI620A | FAIRCHILD | ADVANCED POWER MOSFET |
获取价格 |
|
IRLI620ATU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
获取价格 |
|
IRLI620G | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
IRLI620G | INFINEON | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) |
获取价格 |
|
IRLI620G-002 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
获取价格 |