IRLI620

更新时间： 2024-02-07 18:33:33

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A)

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IRLI620 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	4.1 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	30 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLI620 数据手册

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PD - 9.1235

IRLI620G

HEXFET^®Power MOSFET

Isolated Package

High Voltage Isolation = 2.5KVRMS

Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm

Logic-Level Gate Drive

R_DS(ON)Specified at V_GS= 4V & 5V

Fast Switching

V_DSS= 200V

R_DS(on)= 0.80Ω

I_D= 4.0A

Ease of paralleling

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer

with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in

commercial-industrial applications. The moulding compound used provides a

high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external

heatsink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with

standard TO-220 product. The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip

or by a single screw fixing.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 5.0V

Pulsed Drain Current

4.0

2.6

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.24

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

±10

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

4.0

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

3.0

V/ns

5.0

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (1.6mm from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

Min.

––––

Typ.

––––

Max.

4.1

Units

R_θJC

R_θJA

°C/W

To Order

Revision 0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRLI620A	FAIRCHILD	ADVANCED POWER MOSFET	获取价格
IRLI620ATU	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLI620G	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
IRLI620G	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A)	获取价格
IRLI620G-002	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLI620G-003	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格

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