IRLI620G-013PBF - VISHAY
- 型号：
- IRLI620G-013PBF
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- VISHAY [ VISHAY ]
- 文档大小：
- 1页 / 46K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 零件包装代码
- TO-220AB
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.11
- 其他特性
- LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 外壳连接
- ISOLATED
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 200 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 4.1 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.8 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-220AB
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- JESD-609代码
- e2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- TIN COPPER
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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