T0240NA45E - IXYS CORPORATION
- 型号：
- T0240NA45E
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 7页 / 218K
- 产品描述：
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 316A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.73
- 最大集电极电流 (IC)
- 316 A
- 集电极-发射极最大电压
- 4500 V
- 配置
- SINGLE
- JESD-30 代码
- O-CEDB-N3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 125 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- DISK BUTTON
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- NO LEAD
- 端子位置
- END
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称断开时间 (toff)
- 4000 ns
- 标称接通时间 (ton)
- 2400 ns
- Base Number Matches
- 1
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T0240NB45E
作为压装IGBT技术的开创者，我们能够提供多种一流的器件，额定电压分别为1.7kV（900V直流链）、2.5kV（1.25kV直流链）、3.3kV（1.8kV直流链）、4.5kV（2.8kV直流链
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