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MMBR911

更新时间： 2024-02-10 23:48:43

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	83K
描述
NPN Silicon High-Frequency Transistor

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技术参数
数据手册

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MMBR911 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CASE 318-07, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.8	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.06 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.333 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6000 MHz	Base Number Matches：	1

MMBR911 数据手册

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by MMBR911LT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

Designed for low noise, wide dynamic range front–end amplifiers and

low–noise VCO’s. Available in a surface–mountable plastic package. This

Motorola small–signal plastic transistor offers superior quality and performance

at low cost.

= 60 mA

LOW NOISE

HIGH–FREQUENCY

TRANSISTOR

•

High Gain–Bandwidth Product

= 7.0 GHz (Typ) @ 30 mA

NPN SILICON

Low Noise Figure

NF = 1.7 dB (Typ) @ 500 MHz

High Gain

= 17 dB (Typ) @ 10 mA/500 MHz

State–of–the–Art Technology

Fine Line Geometry

Ion–Implanted Arsenic Emitters

Gold Top Metallization and Wires

Silicon Nitride Passivation

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23

LOW PROFILE

•

Available in tape and reel packaging options:

T1 suffix = 3,000 units per reel

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

2.0

Collector Current — Continuous

Power Dissipation @ T

Derate linearly above T

case

= 75°C (1)

= 75°C

333

mW/°C

case

D(max)

4.44

–55 to +150

150

Storage Temperature

stg

°C

Maximum Junction Temperature

°C

Jmax

THERMAL CHARACTERISTICS

Rating

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

225

°C/W

θJC

DEVICE MARKING

MMBR911LT1 = 7P

NOTE:

1. Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.

REV 8

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MMBR911LT1

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBR911L	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 3-Pin SOT-23	获取价格
MMBR911LT1	MOTOROLA	NPN Silicon High-Frequency Transistor	获取价格
MMBR911LT1	ADPOW	NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR	获取价格
MMBR911LT1G	ADPOW	NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR	获取价格
MMBR911LT3	MOTOROLA	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili	获取价格
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