IRGB8B60K - Infineon
- 型号：
- IRGB8B60K
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 文档大小：
- 13页 / 469K
- 产品描述：
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- 零件包装代码
- TO-220AB
- 包装说明
- LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.09
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 28 A
- 集电极-发射极最大电压
- 600 V
- 配置
- SINGLE
- 最大降落时间（tf）
- 56 ns
- 门极发射器阈值电压最大值
- 5.5 V
- 门极-发射极最大电压
- 20 V
- JEDEC-95代码
- TO-220AB
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- JESD-609代码
- e3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 250
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 140 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 最大上升时间（tr）
- 26 ns
- 子类别
- Insulated Gate BIP Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- 晶体管应用
- MOTOR CONTROL
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称断开时间 (toff)
- 220 ns
- 标称接通时间 (ton)
- 43 ns
- Base Number Matches
- 1
