GM76C256CLLT-55/E
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GM76C256CLLT-55/E - HYNIX SEMICONDUCTOR
型号:
GM76C256CLLT-55/E
品牌Logo:
品牌名称:
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
应用标签:
ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
文档大小:
9页 / 80K
产品描述:
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28
  • 参数详情
生命周期
Obsolete
零件包装代码
TSOP
包装说明
TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数
28
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.59
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
JESD-609代码
e6
长度
11.8 mm
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP1
封装等效代码
TSSOP28,.53,22
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最小待机电流
2 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
TIN BISMUTH
端子形式
GULL WING
端子节距
0.55 mm
端子位置
DUAL
宽度
8 mm
Base Number Matches
1

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版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

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