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GM76C256CLLT-85

更新时间: 2024-02-19 14:28:25
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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11页 484K
描述
x8 SRAM

GM76C256CLLT-85 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76C256CLLT-85 数据手册

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