BSM25GD100D - Infineon
- 型号：
- BSM25GD100D
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 文档大小：
- 8页 / 330K
- 产品描述：
- IGBT MODULE
- 参数详情
- 生命周期
- Transferred
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.24
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- ISOLATED
- 最大集电极电流 (IC)
- 25 A
- 集电极-发射极最大电压
- 1000 V
- 配置
- BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 门极发射器阈值电压最大值
- 6.2 V
- 门极-发射极最大电压
- 20 V
- JESD-30 代码
- R-PUFM-D17
- 元件数量
- 6
- 端子数量
- 17
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 300 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 300 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Insulated Gate BIP Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- SOLDER LUG
- 端子位置
- UPPER
- 晶体管应用
- POWER CONTROL
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 最大开启时间（吨）
- 40 ns
- 标称接通时间 (ton)
- 30 ns
- VCEsat-Max
- 3.3 V
- Base Number Matches
- 1
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