Datasheet > 2SK0601(2SK601)

2SK0601(2SK601)

更新时间： 2022-01-18 16:03:00

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
3页	187K
描述
小信号デバイス－小信号FET － MOS FET

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK0601(2SK601) 数据手册

シリコン MOSFET (小信号)

2SK0601 (2SK601)

シリコンNチャネルMOS形

Unit : mm

スイッチング用

4.5 0.1

1.6 0.2

1.5 0.1

I 特ꢀ長

•

オン抵抗R_DS(on)が低い

• スイッチング速度が速い

• CMOS, TTLで直

接

駆動

0.4 0.08

1.5 0.1

0.5 0.08

0.4 0.04

• ミニ型パワーパッケージのため機器の小形化およびマガジ

ン包装による自動挿入が可能

3°

I 絶対最大定格 T_a= 25°C

45°

項目

ドレイン・ソース電圧

ゲート・ソース電圧

ドレイン電流

記号

V_DS

V_GSO

I_D

定格

単位

3.0 0.15

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

0.5

MiniP3-F1 Package

最大ドレイン電流

I_DP

形名表示記号 : O

許容損失

P_D

°C

チャネル部温度

保存温度

T_ch

150

T_stg

−55 ∼ +150

注) : プリント基板 : ドレイン部分の銅箔面

積1 cm²以上, 厚み1.7 mm

I 電気的特性 T_a= 25°C

項目

記号

I_DSS

条件

最小

標準

最大

単位

µA

ドレイン・ソース遮断電流

ゲート・ソース漏れ電流

ドレイン・ソース降伏電圧

ゲートしきい値電圧

V_DS= 60 V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= 20 V, V_DS= 0

0.1

V_DSS

V_th

I_DS= 100 µA, V_GS= 0

I_D= 1 mA, V_DS= V_GS

1.5

3.5

ドレイン・ソース間オン抵抗

順方向伝達アドミタンス

R_DS(on)

Y_fs

I_D= 0.5 A, V_GS= 10 V

I_D= 0.2 A, V_DS= 15 V, f = 1 kHz

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Ω

300

入力容量(ソース接

地)

帰還容量(ソース接地)

C_iss

C_oss

C_rss

出力容量(ソース接

ターンオン時間

ターンオフ時間

t_on

t_off

注) 1 : パルス測定

2 : t_on, t_off測定回路

10%

V_out

V_in

10%

90%

68 Ω

V_DD= 30 V

V_in= 10 V

90%

V_out

t = 1 µS

f = 1 MHz

50 Ω

t_on

t_off

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2002年8月

SJF00018BJD

12 3

下载PDF

与2SK0601(2SK601)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK0601G	PANASONIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SK0614	PANASONIC	For switching	获取价格
2SK0614(2SK614)	ETC	小信号デバイス－小信号FET － MOS FET	获取价格
2SK0615	PANASONIC	SILICON N-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SK0615(2SK615)	ETC	小信号デバイス－小信号FET － MOS FET	获取价格
2SK0620	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 100MA I(D) \| TO-236	获取价格