2SJ186 - RENESAS TECHNOLOGY CORP
- 型号：
- 2SJ186
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 7页 / 84K
- 产品描述：
- Silicon P Channel MOS FET
- 参数详情
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.28
- Is Samacsys
- N
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 200 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.5 A
- 最大漏源导通电阻
- 12 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-F3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
