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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ186CYEL-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ186CYTL | RENESAS | 0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ186CYTL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYTR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYUL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYUR | RENESAS | 0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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