2N7607T3 - Infineon
- 型号：
- 2N7607T3
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 文档大小：
- 9页 / 190K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LOW OHMIC TO-257AA, 3 PIN
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- INFINEON TECHNOLOGIES AG
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.38
- Is Samacsys
- N
- 其他特性
- HIGH RELIABILITY
- 雪崩能效等级（Eas）
- 98 mJ
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 20 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 20 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.045 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-257AA
- JESD-30 代码
- R-XSFM-P3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 75 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 80 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 最大关闭时间（toff）
- 88 ns
- 最大开启时间（吨）
- 136 ns
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
9页
-
9页
-
1页