2N7608T2 - Infineon
- 型号：
- 2N7608T2
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 文档大小：
- 9页 / 209K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.76
- 雪崩能效等级（Eas）
- 37 mJ
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 6 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.32 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-205AF
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 24 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
