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2N4338G-2

更新时间: 2024-01-09 03:30:10
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威世 - VISHAY 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA

2N4338G-2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.67Is Samacsys:N
外壳连接:GATE配置:SINGLE
最大漏源导通电阻:2500 ΩFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):3 pFJEDEC-95代码:TO-206AA
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N4338G-2 数据手册

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