- 参数详情
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.61
- 其他特性
- LOW NOISE
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 50 V
- FET 技术
- JUNCTION
- 最大反馈电容 (Crss)
- 2 pF
- JEDEC-95代码
- TO-18
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- DEPLETION MODE
- 最高工作温度
- 200 °C
- 最低工作温度
- -65 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 0.325 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.325 W
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
