UPD4442161GF-A85 - RENESAS TECHNOLOGY CORP
- 型号：
- UPD4442161GF-A85
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 静态存储器
- 文档大小：
- 24页 / 196K
- 产品描述：
- Cache SRAM, 256KX16, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, LQFP-100
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.92
- 最长访问时间
- 8.5 ns
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 100 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PQFP-G100
- JESD-609代码
- e0
- 内存密度
- 4194304 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 16
- 端子数量
- 100
- 字数
- 262144 words
- 字数代码
- 256000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 256KX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- QFP
- 封装等效代码
- QFP100,.63X.87
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLATPACK
- 并行/串行
- PARALLEL
- 电源
- 2.5/3.3,3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 最大待机电流
- 0.012 A
- 最小待机电流
- 3.14 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.28 mA
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.635 mm
- 端子位置
- QUAD
- Base Number Matches
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