UPD4104D - RENESAS TECHNOLOGY CORP
- 型号：
- UPD4104D
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 11页 / 454K
- 产品描述：
- IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- DIP, DIP18,.3
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.92
- 最长访问时间
- 300 ns
- I/O 类型
- SEPARATE
- JESD-30 代码
- R-XDIP-T18
- JESD-609代码
- e0
- 内存密度
- 4096 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 1
- 端子数量
- 18
- 字数
- 4096 words
- 字数代码
- 4000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 4KX1
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- CERAMIC
- 封装代码
- DIP
- 封装等效代码
- DIP18,.3
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- IN-LINE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 最小待机电流
- 3 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.021 mA
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- NO
- 技术
- MOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子节距
- 2.54 mm
- 端子位置
- DUAL
- Base Number Matches
- 1
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