TIM5964-45SL - TOSHIBA
- 型号：
- TIM5964-45SL
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- TOSHIBA [ TOSHIBA ]
- 文档大小：
- 5页 / 169K
- 产品描述：
- MICROWAVE POWR GaAs FET
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- TOSHIBA CORP
- 包装说明
- HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN
- 针数
- 2
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- Factory Lead Time
- 16 weeks
- 风险等级
- 5.05
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- SOURCE
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 15 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 31 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 20 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最高频带
- C BAND
- JESD-30 代码
- R-CDFM-F2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- DEPLETION MODE
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 125 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- GALLIUM ARSENIDE
- Base Number Matches
- 1
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TIM5964-4SL-422
TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN, FET RF Power
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