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T0840NC17E

更新时间： 2023-12-06 20:13:26

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	689K
描述
作为压装IGBT技术的开创者，我们能够提供多种一流的器件，额定电压分别为1.7kV（900V直流链）、2.5kV（1.25kV直流链）、3.3kV（1.8kV直流链）、4.5kV（2.8kV直流链

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T0840NC17E 数据手册

Date:- 3 April, 2018

Data Sheet Issue:- P2

Tentative Data

Insulated Gate Bi-Polar Transistor

Type T0840NC17E

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

VOLTAGE RATINGS

LIMITS

UNITS

V_CES

Collector – emitter voltage

1700

900

V_{DC link}

V_GES

Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.

Peak gate – emitter voltage

±20

MAXIMUM

LIMITS

RATINGS

UNITS

I_C(DC)

I_CRM

I_ECO

P_MAX

T_j

DC collector current, IGBT

840

1680

Repetitive peak collector current, t_p=1ms, IGBT

Maximum reverse emitter current, t_p=100µs, (note 2 & 3)

Maximum power dissipation, IGBT (Note 2)

Operating temperature range.

840

2.59

°C

-40 to +125

T_stg

Storage temperature range.

Notes: -

1) Unless otherwise indicated T_j= 125ºC.

2) T_sink= 25°C, double side cooled.

3) Maximum commutation loop inductance 140nH.

Propective Data Sheet T0840NC17E Issue P2

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April, 2018

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