T0400NA18A - IXYS CORPORATION
- 型号：
- T0400NA18A
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 14页 / 210K
- 产品描述：
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1800V V(BR)CES, N-Channel
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- DISK BUTTON, O-CXDB-X4
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.84
- 最大集电极电流 (IC)
- 400 A
- 集电极-发射极最大电压
- 1800 V
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最大降落时间（tf）
- 1000 ns
- 门极发射器阈值电压最大值
- 7 V
- 门极-发射极最大电压
- 20 V
- JESD-30 代码
- O-CXDB-X4
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- DISK BUTTON
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 1800 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Insulated Gate BIP Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- UNSPECIFIED
- 端子位置
- UNSPECIFIED
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称断开时间 (toff)
- 1380 ns
- 标称接通时间 (ton)
- 1180 ns
- Base Number Matches
- 1
