STB11NM60FDT4 - ST
- 型号：
- STB11NM60FDT4
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 13页 / 336K
- 产品描述：
- N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
- 参数详情
- Brand Name
- STMicroelectronics
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Not Recommended
- 包装说明
- D2PAK-3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- Factory Lead Time
- 17 weeks
- 风险等级
- 5.22
- Is Samacsys
- N
- 雪崩能效等级（Eas）
- 350 mJ
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 600 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 11 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 11 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.45 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 245
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 160 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 44 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn) - annealed
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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STB11NM60N
N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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