SI7390DP-T1-E3 - VISHAY
- 型号：
- SI7390DP-T1-E3
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- VISHAY [ VISHAY ]
- 文档大小：
- 5页 / 185K
- 产品描述：
- N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching WFET
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- VISHAY SILICONIX
- 零件包装代码
- SOT
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
- 针数
- 8
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.23
- Samacsys Confidence
- 4
- Samacsys Status
- Released
- 2D Presentation
- Schematic Symbol
- PCB Footprint
- 3D View
- Samacsys PartID
- 1248702
- Samacsys Image
- Samacsys Thumbnail Image
- Samacsys Pin Count
- 11
- Samacsys Part Category
- MOSFET (N-Channel)
- Samacsys Package Category
- Other
- Samacsys Footprint Name
- PowerPAK SO-8 Single
- Samacsys Released Date
- 2020-03-10 13:45:58
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 30 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 9 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 9 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.0095 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-XDSO-C5
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 5
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 5 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 50 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn)
- 端子形式
- C BEND
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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SI7392ADP-T1-GE3
TRANSISTOR 17.5 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power
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