R1RP0416DGE-2LR
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R1RP0416DGE-2LR - RENESAS TECHNOLOGY CORP
型号:
R1RP0416DGE-2LR
品牌Logo:
品牌名称:
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
应用标签:
内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
文档大小:
15页 / 100K
产品描述:
4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)
  • 参数详情
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
零件包装代码
SOJ
包装说明
SOJ, SOJ44,.44
针数
44
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.53
Samacsys Confidence
4
Samacsys Status
Released
Schematic Symbol
PCB Footprint
Samacsys PartID
2136215
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count
44
Samacsys Part Category
Integrated Circuit
Samacsys Package Category
Other
Samacsys Footprint Name
PRSJ0044DA-A
Samacsys Released Date
2020-01-03 16:32:29
Is Samacsys
N
最长访问时间
12 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J44
JESD-609代码
e6/e2
长度
28.57 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
湿度敏感等级
2
功能数量
1
端子数量
44
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ44,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
245
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
3.55 mm
最大待机电流
0.005 A
最小待机电流
4.5 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN BISMUTH/TIN COPPER
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1

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