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PWB200AA

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
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罗姆 - ROHM /
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2页 378K
描述
Thyristor module suitable for low voltage, 3 phase recifier applications

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PWB200AA 数据手册

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THYRISTOR MODULE  
PWB200AA  
PWB200AA is a Thyristor module suitable for low voltage, 3 phase recifier applications.  
T AV  
I
200A each device  
high Surge Current 6000 A 60Hz  
Easy Construction  
Non-isolated. Mounting base as common Anode terminal  
Applications  
Welding power Supply  
Various DC power Supply  
Unit  
A
Maximum Ratings  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
PWB200AA30  
PWB200AA40  
VRRM  
VRSM  
VDRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
300  
360  
300  
400  
480  
400  
V
V
V
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
T AV  
I
Average On-State Current  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
200  
Single phase, half wave, 180 conduction, Tc 121  
Single phase, half wave, 180 conduction, Tc 121  
T RMS  
I
314  
A
1
TSM  
I
A
5400/6000  
2cycle, 50Hz/60Hz, peak value, non-reqetitive  
2
2
2
I t  
I t  
1499400  
A S  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
10  
1
W
W
G AV  
P
FGM  
I
3
A
FGM  
V
10  
5
V
Peak Gate Voltage Forward  
Peak Gate Voltage Reverse  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
RGM  
V
V
50  
di/dt  
Tj  
G
I
D
V
DRM  
2V  
G
/dt 1A  
200mA Tj 25  
dI  
/
s
A/ s  
40  
40  
150  
125  
Tstg  
Mounting M6  
Terminal M6  
Recommended Value 2.5 3.9 25 40  
Recommended Value 2.5 3.9 25 40  
4.7 48  
4.7 48  
280  
Mounting  
torque  
N
f B  
Mass  
g
Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
60  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current, max.  
Gate Trigger Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
DRM  
at V  
at V  
, Single phase, half wave, Tj 150  
RRM  
I
60  
DRM  
, Single phase, half wave, Tj 150  
TM  
V
1.20  
150  
2
On-State Current 630A, Tj 25 Inst. measurement  
GT  
I
mA  
V
T
D
Tj 25  
Tj 25  
Tj 150  
T
I
I
1A  
1A  
V
V
6V  
6V  
GT  
V
T
D
1
GD  
V
0.25  
V
D
DRM  
V
2V  
G
I
200A I  
200mA Tj 25  
dI /dt 1A/ s  
tgt  
Turn On Time, max.  
10  
s
1
D
V
DRM  
G
2V  
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
200  
70  
dv/dt  
D
DRM  
Tj 150  
Tj 25  
V
3V  
Exponential wave.  
V/ s  
H
I
mA  
1
Thermal Impedance, max.  
0.12  
Rth j-c  
Junction to case  
3Module  
/W  
61  
12

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