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PM20CHA060

更新时间: 2024-02-01 17:29:24
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 495K
描述
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C)

PM20CHA060 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:600 V元件数量:1
最高工作温度:100 °C最大功率耗散 (Abs):62 W
子类别:Insulated Gate BIP TransistorsVCEsat-Max:3.5 V
Base Number Matches:1

PM20CHA060 数据手册

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