PHB1N60T/R - ETC
- 型号：
- PHB1N60T/R
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ETC [ ETC ]
- 文档大小：
- 6页 / 349K
- 产品描述：
- TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | SOT-404
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- 包装说明
- ,
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.84
- Is Samacsys
- N
- 配置
- Single
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 1.9 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-609代码
- e0
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 50 W
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Base Number Matches
- 1
