PHB18NQ10T/T3 - NXP
- 型号：
- PHB18NQ10T/T3
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- NXP [ NXP ]
- 文档大小：
- 12页 / 117K
- 产品描述：
- TRANSISTOR 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.17
- 雪崩能效等级（Eas）
- 70 mJ
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 18 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.09 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 72 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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PHB18NQ20T/T3
TRANSISTOR 16 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
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