PHB152NQ03LTA,118 - NXP
- 型号：
- PHB152NQ03LTA,118
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- NXP [ NXP ]
- 文档大小：
- 13页 / 81K
- 产品描述：
- PHB152NQ03LTA - N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
- 参数详情
- Brand Name
- Nexperia
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- D2PAK
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- 针数
- 3
- 制造商包装代码
- SOT404
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.76
- 雪崩能效等级（Eas）
- 560 mJ
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 25 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 75 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.005 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 240 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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