PDTC114EE - NXP
- 型号：
- PDTC114EE
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- NXP [ NXP ]
- 文档大小：
- 14页 / 91K
- 产品描述：
- NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- NXP SEMICONDUCTORS
- 零件包装代码
- SC-70
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.1
- Is Samacsys
- N
- 其他特性
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
- 最大集电极电流 (IC)
- 0.1 A
- 集电极-发射极最大电压
- 50 V
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 100
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G3
- JESD-609代码
- e3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- NPN
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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PDTC114EE,115
PDTC114E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ SC-75 3-Pin
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