NTMD6P02R2G - ONSEMI
- 型号：
- NTMD6P02R2G
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ONSEMI [ ONSEMI ]
- 文档大小：
- 6页 / 124K
- 产品描述：
- Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8, Dual
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- SOT
- 包装说明
- LEAD FREE, MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8
- 针数
- 8
- 制造商包装代码
- CASE 751-07
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.66
- 其他特性
- LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
- 配置
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 20 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 6.2 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 4.8 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.033 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大反馈电容 (Crss)
- 450 pF
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G8
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 2
- 端子数量
- 8
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 2 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Tin (Sn)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
