NTHS2101PT1 - ONSEMI
- 型号：
- NTHS2101PT1
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ONSEMI [ ONSEMI ]
- 文档大小：
- 6页 / 58K
- 产品描述：
- −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
- 针数
- 8
- 制造商包装代码
- CASE 1206A-03
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.21
- 其他特性
- LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 8 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 5.4 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.025 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-XDSO-C8
- JESD-609代码
- e3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 8
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 7.5 A
- 认证状态
- COMMERCIAL
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- MATTE TIN
- 端子形式
- C BEND
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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NTHS2101PT1G
5.4A, 8V, 0.025ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
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