NS41256S20J/883
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NS41256S20J/883 - National Semiconductor
型号:
NS41256S20J/883
品牌Logo:
品牌名称:
NSC [ National Semiconductor ]
应用标签:
静态存储器内存集成电路
文档大小:
18页 / 58K
产品描述:
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28, Static RAM
  • 参数详情
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
包装说明
DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.62
最长访问时间
20 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-GDIP-T28
JESD-609代码
e0
长度
37.08 mm
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度
5.72 mm
最大待机电流
0.02 A
最小待机电流
4.5 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1

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