NM27P512VE150 - National Semiconductor
- 型号：
- NM27P512VE150
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 12页 / 178K
- 产品描述：
- 524,288-Bit (64K x 8) Processor Oriented CMOS EPROM
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
- 零件包装代码
- QFJ
- 包装说明
- QCCJ, LDCC32,.5X.6
- 针数
- 32
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.71
- 风险等级
- 5.32
- 最长访问时间
- 150 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PQCC-J32
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 13.995 mm
- 内存密度
- 524288 bit
- 内存集成电路类型
- OTP ROM
- 内存宽度
- 8
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 32
- 字数
- 65536 words
- 字数代码
- 64000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 64KX8
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- QCCJ
- 封装等效代码
- LDCC32,.5X.6
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- CHIP CARRIER
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 3.56 mm
- 最大待机电流
- 0.0001 A
- 子类别
- OTP ROMs
- 最大压摆率
- 0.04 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- J BEND
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- QUAD
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 11.455 mm
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