NESG2107M33-T3-A - CALIFORNIA EASTERN LABS
- 型号：
- NESG2107M33-T3-A
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 4页 / 305K
- 产品描述：
- NECs NPN SILICON TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- NEC ELECTRONICS CORP
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.92
- 最大集电极电流 (IC)
- 0.1 A
- 基于收集器的最大容量
- 0.7 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 5 V
- 配置
- SINGLE
- 最高频带
- L BAND
- JESD-30 代码
- R-PDSO-F3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- NPN
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 20000 MHz
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