NESG2021M05-T1-A - CALIFORNIA EASTERN LABS
- 型号：
- NESG2021M05-T1-A
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 14页 / 733K
- 产品描述：
- NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- 包装说明
- THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.66
- 最大集电极电流 (IC)
- 0.035 A
- 基于收集器的最大容量
- 0.2 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 5 V
- 配置
- SINGLE
- 最高频带
- C BAND
- JESD-30 代码
- R-PDSO-F4
- JESD-609代码
- e6
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- NPN
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN BISMUTH
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 10
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON GERMANIUM
- 标称过渡频率 (fT)
- 25000 MHz
- Base Number Matches
- 1
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NESG2021M16
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
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