NE3503M04-A - CALIFORNIA EASTERN LABS
- 型号：
- NE3503M04-A
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 7页 / 397K
- 产品描述：
- NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET
- 参数详情
- Brand Name
- Renesas
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
- 针数
- 4
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.21
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 3 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 0.07 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.015 A
- FET 技术
- HETERO-JUNCTION
- 最高频带
- KU BAND
- JESD-30 代码
- R-PDSO-F4
- JESD-609代码
- e6
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 工作模式
- DEPLETION MODE
- 最高工作温度
- 125 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 0.125 W
- 最小功率增益 (Gp)
- 11 dB
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET RF Small Signal
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN BISMUTH
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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NE3503M04-T2
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN
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