N02M0818L1AN-150I
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N02M0818L1AN-150I - NANOAMP SOLUTIONS, INC.
型号:
N02M0818L1AN-150I
品牌Logo:
品牌名称:
NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
应用标签:
静态存储器光电二极管内存集成电路
文档大小:
9页 / 223K
产品描述:
Standard SRAM, 256KX8, 150ns, CMOS, PDSO32
  • 参数详情
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Contact Manufacturer
IHS 制造商
NANOAMP SOLUTIONS INC
包装说明
TSSOP, TSSOP32,.56,20
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.88
Is Samacsys
N
最长访问时间
150 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
端子数量
32
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP32,.56,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
PARALLEL
电源
1.5/2 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.000001 A
最小待机电流
1.2 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.013 mA
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1

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