N02L83W2AN5IT - ONSEMI
- 型号：
- N02L83W2AN5IT
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ONSEMI [ ONSEMI ]
- 应用标签：
- 静态存储器
- 文档大小：
- 10页 / 170K
- 产品描述：
- 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K × 8 bit
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- ON SEMICONDUCTOR
- 零件包装代码
- TSOP1
- 包装说明
- STSOP1-32
- 针数
- 32
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- 3A991.B.2.A
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.92
- 最长访问时间
- 70 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G32
- 长度
- 11.8 mm
- 内存密度
- 2097152 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 8
- 湿度敏感等级
- 1
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 32
- 字数
- 262144 words
- 字数代码
- 256000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 256KX8
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSOP1
- 封装等效代码
- TSSOP32,.56,20
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 225
- 电源
- 3/3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.25 mm
- 最大待机电流
- 0.00001 A
- 最小待机电流
- 1.8 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.016 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.3 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.5 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 8 mm
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