N02L163WN1AB1-70I
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N02L163WN1AB1-70I - NANOAMP SOLUTIONS, INC.
型号:
N02L163WN1AB1-70I
品牌Logo:
品牌名称:
NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
应用标签:
静态存储器内存集成电路
文档大小:
11页 / 262K
产品描述:
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
  • 参数详情
是否Rohs认证
符合
生命周期
Contact Manufacturer
IHS 制造商
NANOAMP SOLUTIONS INC
包装说明
FBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.8
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B48
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
端子数量
48
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA48,6X8,30
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
电源
3/3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.00001 A
最小待机电流
1.8 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.016 mA
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.75 mm
端子位置
BOTTOM
Base Number Matches
1

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