N02L1618C1AT2-85I
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N02L1618C1AT2-85I - NANOAMP SOLUTIONS, INC.
型号:
N02L1618C1AT2-85I
品牌Logo:
品牌名称:
NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
应用标签:
静态存储器光电二极管内存集成电路
文档大小:
11页 / 271K
产品描述:
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
  • 参数详情
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码
TSOP2
包装说明
LSSOP, TSOP44,.46,32
针数
44
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.84
最长访问时间
85 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G44
长度
18.41 mm
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
44
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LSSOP
封装等效代码
TSOP44,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.8/2 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.25 mm
最大待机电流
0.00001 A
最小待机电流
1.2 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.2 V
最小供电电压 (Vsup)
1.65 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
10.16 mm

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