N01L6183AB7IT - ONSEMI
- 型号：
- N01L6183AB7IT
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ONSEMI [ ONSEMI ]
- 应用标签：
- 静态存储器
- 文档大小：
- 10页 / 244K
- 产品描述：
- 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- 零件包装代码
- BGA
- 包装说明
- LFBGA, BGA48,6X8,30
- 针数
- 48
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.4
- 最长访问时间
- 85 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B48
- 长度
- 8 mm
- 内存密度
- 1048576 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 48
- 字数
- 65536 words
- 字数代码
- 64000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 64KX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- LFBGA
- 封装等效代码
- BGA48,6X8,30
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
- 并行/串行
- PARALLEL
- 电源
- 1.8 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.34 mm
- 最大待机电流
- 0.000005 A
- 最小待机电流
- 1.2 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.016 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 2.2 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 1.65 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 1.8 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.75 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 宽度
- 6 mm
- Base Number Matches
- 1
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