N01L163WN1AB2-55I - NANOAMP SOLUTIONS, INC.
- 型号：
- N01L163WN1AB2-55I
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 10页 / 261K
- 产品描述：
- 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- 包装说明
- 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.78
- 最长访问时间
- 55 ns
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B48
- JESD-609代码
- e1
- 长度
- 8 mm
- 内存密度
- 1048576 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 48
- 字数
- 65536 words
- 字数代码
- 64000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 64KX16
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- LFBGA
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.34 mm
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.7 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.75 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 宽度
- 6 mm
- Base Number Matches
- 1
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