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MURTA60040R

更新时间: 2024-01-14 22:23:00
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AMERICASEMI 超快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 969K
描述
Silicon Super Fast Recovery Diode

MURTA60040R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PUFM-X3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.54
应用:SUPER FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X3最大非重复峰值正向电流:4400 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:300 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向电流:25 µA最大反向恢复时间:0.25 µs
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

MURTA60040R 数据手册

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