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MT25QU01GBBA8E12-0SIT

更新时间： 2024-04-09 19:00:32
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
92页 1211K
描述
The MT25Q is a high-performance multiple input/output, 1Gb, 1.8V, SPI Flash memory device; MT25QU01GBBA

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MT25QU01GBBA8E12-0SIT 数据手册

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1Gb, 1.8V Multiple I/O Serial Flash Memory  
Features  
Micron Serial NOR Flash Memory  
1.8V, Multiple I/O, 64KB Sector Erase  
MT25QU01GAB  
Options  
Marking  
Features  
• SPI-compatible serial bus interface  
• Single and double transfer rate (STR/DTR)  
• Clock frequency  
– 133 MHz (MAX) for all protocols in STR  
– 66 MHz (MAX) for all protocols in DTR  
• Dual/quad I/O commands for increased through-  
put up to 65 MB/s  
• Supported protocols in both STR and DTR  
– Extended I/O protocol  
• Voltage  
– 1.7–2.0V  
• Density  
– 1Gb  
• Device stacking  
– Monolithic  
• Lithography  
– 45nm  
• Die revision  
• Pin configuration  
– RESET and HOLD#  
• Production status  
– Engineering samples  
• Operating temperature range  
– From –40°C to +85°C  
– From –40°C to +105°C  
• Special options  
– Standard  
U
01G  
A
B
A
– Dual I/O protocol  
– Quad I/O protocol  
• Execute-in-place (XIP)  
8
ES  
• PROGRAM/ERASE SUSPEND operations  
• Volatile and nonvolatile configuration settings  
• Software reset  
• Additional reset pin for selected part numbers  
• 3-byte and 4-byte address modes – enable memory  
access beyond 128Mb  
• Dedicated 64-byte OTP area outside main memory  
– Readable and user-lockable  
– Permanent lock with PROGRAM OTP command  
• Erase capability  
– Sector erase 64KB uniform granularity  
– Subsector erase 4KB, 32KB granularity  
• Security and write protection  
– Volatile and nonvolatile locking and software  
write protection for each 64KB sector  
– Nonvolatile configuration locking  
– Password protection  
IT  
AT  
S
A
0
– Automotive  
• Standard security  
• Packages – JEDEC-standard, RoHS-  
compliant  
– 16-pin SOP2, 300 mils  
(SO16W, SO16-Wide, SOIC-16)  
– 24-ball T-PBGA 05/6mm x 8mm  
(TBGA24)  
SF  
12  
• Sector Size  
– 64KB  
E
– Hardware write protection: nonvolatile bits  
(BP[3:0] and TB) define protected area size  
– Program/erase protection during power-up  
– CRC detects accidental changes to raw data  
• Electronic signature  
– JEDEC-standard 3-byte signature (BA20h)  
– Extended device ID: two additional bytes identify  
device factory options  
• JESD47H-compliant  
– Minimum 100,000 ERASE cycles per sector  
– Data retention: 20 years (TYP)  
PDF: 09005aef857a770a  
qlks_1gb_1_8V_45nm.pdf - Rev. C 08/14 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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