MRFE6VS25NR1 - Freescale
- 型号：
- MRFE6VS25NR1
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- FREESCALE [ Freescale ]
- 文档大小：
- 24页 / 1302K
- 产品描述：
- RF Power LDMOS Transistor
- 参数详情
- Brand Name
- Freescale
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.29.00.75
- 风险等级
- 5.66
- Is Samacsys
- N
- 配置
- Single
- 最小漏源击穿电压
- 133 V
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最高频带
- ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- JESD-30 代码
- R-PDFM-F2
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 25 W
- 最小功率增益 (Gp)
- 24.5 dB
- 子类别
- FET General Purpose Powers
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn)
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- Base Number Matches
- 1
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