MGFC40V6472 - Mitsubishi Group
- 型号：
- MGFC40V6472
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 86K
- 产品描述：
- 6.4- 7.2GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- 针数
- 2
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.84
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- SOURCE
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 10 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 6 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 6 A
- FET 技术
- JUNCTION
- 最高频带
- C BAND
- JESD-30 代码
- R-CDFM-F2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- DEPLETION MODE
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 53.5 W
- 最小功率增益 (Gp)
- 7 dB
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- GALLIUM ARSENIDE
- Base Number Matches
- 1
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MGFC40V6472-51
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN
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