MGF1425B - Mitsubishi Group
- 型号：
- MGF1425B
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 185K
- 产品描述：
- RF Small Signal Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- ,
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.75
- 风险等级
- 5.78
- 最小漏源击穿电压
- 3 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 0.06 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.06 A
- FET 技术
- METAL SEMICONDUCTOR
- 最高频带
- X BAND
- 最高工作温度
- 150 °C
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 0.2 W
- 最小功率增益 (Gp)
- 9 dB
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- GALLIUM ARSENIDE
- Base Number Matches
- 1
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